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安森美半导体推出领先业界的最佳系统级性能的IGBT万芳

发布时间:2020-02-14 12:36:57 阅读: 来源:聚合氯化铝厂家

安森美半导体推出领先业界的最佳系统级性能的IGBT

安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理Paul Leonard说:“电器的使用数量持续增多,使不断增长的工业及消费市场的总能耗稳步上升。安森美半导体持续开发薄晶圆工艺及植入技术,能够显著提升IGBT性能,而这对配合更多高能效方案的需求极为重要。”

公司推出的FSII IGBT首组产品是NGTBxxN120IHRWG和NGTBxxN135IHRW;这些器件优化了开关性能并降低了导电损耗,用于采用15千赫兹(kHz)到30 kHz的中等频率工作的电磁加热和软开关应用。器件在大电流时提供极佳的强固性和优异的导通状态特性,根据系统要求经过优化,以提供更高能效及降低系统损耗。这些高速IGBT提供领先业界的系统级性能,用于电磁加热产品,如电火锅、电饭煲及微波炉等电器。这系列器件提供1,200伏(V)及1,350 V平台版本,额定电流涵盖20安培(A)、30 A及40A。

安森美半导体的FSII IGBT技术进一步扩充,新产品还包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件,专门设计用于太阳能逆变器、不间断电源系统(UPS)及变频焊机应用。这些器件提供增强的热性能,结点工作温度范围达-55到+175°C,并将额定电流能力提升至采用TO-247封装条件下的100 A。

安森美半导体提供高品质及可靠IGBT的实力悠久,其中通过汽车行业AEC-Q认证的IGBT量产已经超过十年。2011年,公司开始开发新的高压/大电流IGBT,用于不断增长、持续需求高能效方案的工业及消费类市场。安森美半导体采用专有沟槽场截止型IGBT技术的首个完整产品系列于2012年发布,媲美互相竞争的技术。此次发布的最新FSII IGBT技术使安森美半导体居市场领先地位。

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